型号:

MMDF2C03HDR2

RoHS:
制造商:ON Semiconductor描述:MOSFET N/P-CH 30V 3A 8-SOIC
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 阵列
MMDF2C03HDR2 PDF
产品变化通告 LTB Notification 03/Jan/2008
标准包装 2,500
系列 -
FET 型 N 和 P 沟道
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 4.1A,3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 70 毫欧 @ 3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 16nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 630pF @ 24V
功率 - 最大 2W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装 8-SOICN
包装 带卷 (TR)
其它名称 MMDF2C03HDR2OSTR
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